電阻加熱蒸發(fā)源

優(yōu)點：

1.結構簡單、使用方便、造價低廉，因此使用普遍；

2.可蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬，蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物。

要求：

1.蒸發(fā)源材料的自身熔點要高；

2.飽和蒸汽壓要低；

3.化學性能要穩(wěn)定，且具有良好的耐熱性，熱源變化時，功率密度變化較小；

4.蒸發(fā)源對膜材料的"濕潤性"好。

電子束加熱蒸發(fā)源

優(yōu)點：

1.與電阻加熱源相比可以減少污染；

2.能量集中，使膜料局部表面受到很高的溫度，而其它部分的溫度低。因此，可使高熔點(可以高達3000℃)的材料蒸發(fā)，且有較高的蒸發(fā)速率；

3.可以準確、方便地控制蒸發(fā)溫度；

4.有較大的溫度調節(jié)范圍，對高、低熔點的膜料都適用，適用性寬，特別適合蒸鍍熔點高達2000℃左右的氧化物；

缺點：

1.通常蒸鍍的膜層較薄；

2.蒸鍍的薄膜組分復雜。

激光蒸發(fā)源

優(yōu)點：

1.能蒸發(fā)任何高熔點材料,可以蒸發(fā)各種材料，且獲得很高的蒸發(fā)速率；

2.與電阻加熱蒸發(fā)源相比可以減少鍍膜受污染；

3.非常適合于蒸發(fā)化合物或合金；

4.與電子束蒸發(fā)源相比，它避免了電子束蒸發(fā)膜面帶電的缺點。

缺點：

1.長時間工作，激光進入鐘罩窗口處的透鏡會受到影響；

2.激光蒸發(fā)器比較昂貴，且并非對所有材料都顯示其優(yōu)越性；

3.由于蒸發(fā)材料溫度太高，蒸發(fā)粒子(原子、分子、簇團等)多易離子化，從而會對膜結構和特性產生一定影響。

高頻感應蒸發(fā)源

優(yōu)點：

1它是面蒸發(fā)，蒸發(fā)速率大，可以比電阻蒸發(fā)源大10倍左右；

2蒸發(fā)源的溫度混勻穩(wěn)定，不易產生飛濺現(xiàn)象；

3蒸發(fā)源一次裝料，無需送料機構，溫度控制較容易，操作比較簡單。

缺點：

1.因為接觸易造成污染

2.只能蒸發(fā)導電的膜料

3.設備必須屏蔽，且需要復雜和昂貴的高頻發(fā)生器。