在選擇坩堝形狀時，個原則是和諧k-cell的加熱絲的形狀匹配，滿足這個前提之后再來考慮其他的方面。這是因為如果形狀不匹配，加熱就會不均勻，一方面測溫不準會影響實驗可重復性，另一方面坩堝各個部分熱膨脹不均勻可能會導致?lián)p壞。接下來再考慮其他方面的問題。原教旨的k-cell想象一個封閉的盒子個封閉的盒子，盒子里有一些可升華/蒸發(fā)的材料。在一定溫度下，材料表面升華/蒸發(fā)的分子數(shù)與冷凝/冷凝的分子數(shù)相同。此時，蒸汽壓力是該溫度下材料的飽和蒸汽壓力。此時，如果我們在盒子上打開一個小洞，分子束將從這個洞中射出，束流的大小完全取決于材料的蒸汽壓力，即盒子的溫度，即MBE該技術(shù)可以準確地控制分子束流的基本原理。但在實際應用中，在大多數(shù)情況下MBE蒸發(fā)源坩堝的開口相當大，因為開口的大束流可以很大，可以有相對可接受的生長速度，所以實際的蒸發(fā)源在蒸汽壓力準確平衡甚至不平衡的條件下工作。這些坩堝形狀的區(qū)別是束流的大小和分布。錐形坩堝離平衡狀態(tài)遠，束流高，分布角大，束流控制不準確。瓶形接近平衡，束流低，分布角小，但束流控制準確，我用它蒸發(fā)Na等等高蒸汽壓力材料。直筒型各方面性能適中，適合大多數(shù)材料，是我使用多的類型。考慮到不同蒸發(fā)源之間的交叉污染，錐形坩堝更嚴重。我不喜歡使用錐形坩堝的另一個現(xiàn)實原因是：當蒸發(fā)源傾斜時，坩堝中的東西很容易分散……這是一些基于我個人經(jīng)驗的參考數(shù)據(jù)：如果你想追求1nm/s高速生長，襯底為2寸以上晶圓錐形坩堝，如果生長速度為0.1nm/s級或以下，并且經(jīng)計算束流可以均勻覆蓋整個襯底——150C時蒸氣壓在10^4 mbar以下:直筒坩堝150C時蒸氣壓在10^4 mbar以上：酒瓶坩堝。