從生長過程看，MBE有三個基本區(qū)域：分子束產(chǎn)生區(qū)、各分子束交叉混合區(qū)、反應和晶化過程區(qū)。從源射出的分子束撞擊襯底表面被吸附RHEED是重要的設備。高能電子槍發(fā)射電子束以1-3度掠射到基片表面。被吸附的分子（原子）在表面遷移、分解這時候我們可以經(jīng)過表面晶格衍射在熒光屏上產(chǎn)生的衍射條紋直接反映薄膜的結晶性和表面形貌，衍射強度隨表面的粗糙度發(fā)生變化。振蕩反映了薄膜的層狀外延生長和外延生長的單胞層數(shù)。原子進入晶格位置發(fā)生外延生長可在原子尺度范圍內(nèi)地控制外延層的厚度、界面平整度和摻雜分布，結合掩膜技術，可以制備具有二維和三維結構的薄膜。可隨意改變外延層的組分和摻雜。未進入晶格的分子因熱脫附而離開表面?在蒸鍍的過程中CHAMBER的真空度維持在10-6torr，稍後由於CHAMBER內(nèi)各種材料的釋氣，真空度會被降低，所以必須不斷地抽氣，以維持想要的真空度，如此鍍出來的膜才會純。產(chǎn)品規(guī)格：真空抽氣經(jīng)烘烤后可達到優(yōu)于1E-10Torr。多材料共蒸鍍的腔體設計。樣品可升溫至800°C，具旋轉功能。多種外延用蒸發(fā)源可供選擇。可配備進樣室，減少污染，樣品座可容納至少2個樣品，減少真空腔體開關次數(shù)。配備符合超高真空需求的磁性樣品傳送桿。

多種蒸鍍材料或反應性鍍膜技術：各種容量的蒸發(fā)源系統(tǒng)配備石英膜厚計,協(xié)助鍍膜監(jiān)控，為什么要超高真空

1、避免源爐噴射出的原子在到達襯底之前與環(huán)境中的殘余氣體碰撞而受到污染?氣體分子密度n(cm-3)與真空度p(torr)的關系：

分子的平均自由程：

2、避免環(huán)境中的殘余氣體分子與外延表面碰撞而使外延面受到污染?單位時間、單位面積表面被氣體分子碰撞次數(shù)：

分子熱運動平均速度：真空技術主要包括：真空的獲得、真空的測量、真空檢漏